苏州远创达科技有限公司是一家外商独资的高科技公司，其控股公司注册于香港和开曼群岛。公司由海归人士创立，于2008年8月在苏州独墅湖高教园区成立，主要从事设RF LDMOS射频半导体器件的设计、制造与销售，拥有自主知识产权，是国内唯一一家从事LDMOS射频半导体器件设计与制造的公司。
我们公司的技术能力是能实现工作频率高至5GHz，输出功率达到500W的单一射频功率器件产品。主要应用领域是GSM/CDMA移动基站，以及WCDMA、CDMA EVDO和TD-SCDMA移动基站以及相应直放站，小基站的射频应用，还有WiMax领域，除此之外还广泛应用于军事、ISM(工业、科学、医疗）、广播、商业航空电子设备和非蜂窝通信设备之中等。
本公司在基于LDMOS技术的高效率、高功率射频放大器的产品技术拥有多项专利，包括：公司专有的基于硅工艺的高功率FET技术、超薄晶片60um技术（可高效垂直散热）、可调节带宽的硬件平台技术（具有高效率的线性特性）、在OFDM上增强耐用性技术等。
公司研制生产的LDMOS射频分立器件、IC和射频Module具有以下一些特点：
· 公司专有的基于硅工艺的高功率LDMOS技术
· 在高数据速率应用上增强耐用性的技术
· 高功率下高效率散热的技术
· 可调节带宽的硬件产品平台
·与国内客户联合做器件和模组的产品整合
· 频率范围450MHz-3.8GHz，输出功率10W-300W的单一器件产品
· 与国内的科技园与大学研究平台合作可降低研发成本
在产品推出的时候，公司将发布基于LDMOS硅技术和GaAs MMIC的高效率、高功率射频放大器关键的产品技术和自有专利，包括：
· 公司专有的基于硅工艺的高功率FET技术专利
· 超薄晶片......
